ITO靶材氧化铟锡烧结设备辊道窑

ITO靶材属于稀有金属铟的锡掺杂氧化物半导体陶瓷，下游用户首先关注的就是它的密度和纯度。在制备的过程中，In2O3和SnO2的质量比一般为90:10，SnO2会完全固溶到In2O3中形成单一的In2O3相，靶中的空隙和杂质、杂质相均会对ITO导电薄膜的导电性和透光率的均匀性产生影响｡
因此，在ITO靶材的生产过程中，首先要严格控制化学氧含量及杂质含量，以确保靶材纯度达到99.99%以上，其次需要通过合适的成型烧结工艺，使靶材密度尽可能的大——靶材若为低密度，有效溅射表面积会减少，溅射速度也会降低，靶材表面黑化趋势加剧。高密度靶的表面变化少，可以得到低电阻膜。
靶材密度与寿命也有关，高密度的靶材寿命较长，意味着可降低靶材成本，因而ITO靶材应具有99.5%以上的相对密度｡
江苏前锦结合多年窑炉经验，研发氧化物陶瓷靶材烧结用推板炉具有高产能性；采用多面加热方式，进口轻质保温材料，高效节能比传统窑炉节能约20-30%；*特的炉膛和气氛设计，大大提高了控制稳定性，气氛均匀性，产品成品率，温度均匀性和节能效果
主要参数
较高使用温度：1700℃
炉膛尺寸：18000L×300W（双孔）×250H（mm）可根据客户实际工艺定制
推板尺寸：280×280×50
烧结气氛：氧气
加热元件：升温区采用优质硅碳棒，高温区采用优质硅钼棒
设备外形尺寸：约22000L×1800W×2000H（mm）
额定功率：约320KW
保温功率：约160KW